周新對于自己會(huì )在第二天上午就受到胡正明的回信有點(diǎn)意外。
要知道二十年之后，胡正明查看郵件的頻率是每周一次。
“難道說(shuō)年輕時(shí)候的老師，每天都會(huì )看一次郵件？”
“看不出來(lái)當年的老師這么刻苦?！?/p>
雖然周新之前跟的是胡正明，但是胡正明在那個(gè)年齡大多時(shí)候都只是給一些方向性的建議。
當然即便如此，胡正明在2016年也就是六十九歲的時(shí)候，還在science上發(fā)表了引用次數超過(guò)一千次的論文。
“胡教授，你好，我是燕大微電子專(zhuān)業(yè)的大二學(xué)生周新，周雖舊邦其命維新的周新?！?/p>
跨國電話(huà)很貴，周新來(lái)了之后也沒(méi)有再去開(kāi)源。
僅僅靠獎學(xué)金，還是頗有些捉襟見(jiàn)肘。
“周新，好名字。
我本來(lái)還以為是芯片的芯。
我看了你發(fā)給我的郵件，我還以為是哪個(gè)教授在MOSFET模型上有了新的思路。
你的成果足以發(fā)表在IEEE甚至是Science上了?！?/p>
二人是用英文對話(huà)，即便是周雖舊邦其命維新，周新也是用英語(yǔ)說(shuō)的。
畢竟他之前去伯克利讀博士的時(shí)候，專(zhuān)門(mén)把這句話(huà)翻譯成了英文，在給外國人做自我介紹的時(shí)候說(shuō)。
周是幾千年前華國的王朝，再補充上這么一句，瞬間讓沒(méi)有什么歷史的阿美利肯人另眼相看。
這也算是周新在國外快速和外國人熟悉起來(lái)的一點(diǎn)小技巧。
聊歷史政治這些，是能夠快速和另外一個(gè)陌生男性拉近距離的方式之一。
“是的，我目前是燕京大學(xué)微電子專(zhuān)業(yè)的大二學(xué)生，之所以發(fā)這封郵件，是希望來(lái)就讀你的博士。
因為我經(jīng)濟狀況不太好的緣故，還需要你提供全獎或者半獎?！?/p>
這個(gè)年代全獎和半獎的區別，在于半獎能夠拿到的錢(qián)更少，同時(shí)半獎需要工作，比如代課、批改作業(yè)之類(lèi)的工作。
全獎會(huì )被導師要求工作，只是可以選擇拒絕。
一般來(lái)說(shuō)是不會(huì )拒絕的。
“跨國電話(huà)對于我來(lái)說(shuō)有點(diǎn)貴，所以我將我希望直截了當的表達我的訴求?！?/p>
周新說(shuō)完后，胡正明停頓片刻后問(wèn)道：
“我稍后會(huì )發(fā)一份卷子給你，你有五個(gè)小時(shí)的時(shí)間進(jìn)行作答。
你在回答之后通過(guò)電子郵件的方式回復我。
如果有八十分，我會(huì )幫你安排好一切的。
這份卷子不會(huì )太難，只是伯克利分校電子工程系博士生入學(xué)考試的標準。
雖然對普通大二學(xué)生來(lái)說(shuō)，會(huì )有點(diǎn)難。
但是你在郵件中表現出來(lái)對模型敏銳的直覺(jué)以及處理方式，都不是一個(gè)普通大二學(xué)生。
甚至我帶過(guò)的很多博士生在畢業(yè)的時(shí)候，在這方面的能力都不如你?！?/p>
胡正明沒(méi)有給周新設置太高的門(mén)檻，博士生入學(xué)考試的難度。
當然這個(gè)難度對于華國的大二學(xué)生來(lái)說(shuō)，換成除了周新，任何一個(gè)人來(lái)都做不出來(lái)。
這不是水平的差距，而是全方位的差距。
不管是教材、教師水平、學(xué)習的深度等等，大二和博士生入學(xué)考試之間隔著(zhù)很厚的壁壘。
更別說(shuō)還要通過(guò)全英文作答。
“如果我沒(méi)能通過(guò)考試呢？”周新在電話(huà)里反問(wèn)道。
胡正明笑了笑：“只要你能夠證明郵件是你本人寫(xiě)的。
那么我也會(huì )幫你搞定轉校和獎學(xué)金的事情。
只是說(shuō)你需要來(lái)伯克利把本科沒(méi)有上完的課程補完?！?/p>
作為半導體界教父級的人物，在伯克利呆了二十多年時(shí)間，想要幫學(xué)生搞定獎學(xué)金，用輕而易舉來(lái)形容毫不夸張。
胡正明很欣賞周新，不僅僅是因為那封郵件，也是因為對方在溝通中表現出來(lái)的坦誠，以及這口流利的英語(yǔ)。
甚至在一些語(yǔ)氣詞里都和他一樣。
周新在阿美利肯期間，主要溝通對象之一就是胡正明，口語(yǔ)主要就是在阿美利肯那幾年突飛猛進(jìn)的。
口語(yǔ)表達上二人當然會(huì )有相似之處。
周新在電話(huà)那頭笑了笑：“好?！?/p>
“MOSFET模型可以將 Em與所有器件參數和偏置電壓相關(guān)聯(lián)，描述了它在解釋和指導熱電子縮放中的用途，你是如何想到通過(guò)電路仿真的預測性來(lái)對MOSFET進(jìn)行互連建模？”
跨越數千公里的電話(huà)線(xiàn)，兩頭不僅僅是地理上的距離，更是時(shí)間上的距離。
周新發(fā)給胡正明的解答，是胡正明自己在2000年的論文，發(fā)表在2000年的IEEE集成電路會(huì )議論文集上，在胡正明超過(guò)九百篇論文里被引用次數排名第八。
雖然排名不是很高，但是卻起到了承上啟下的作用。
胡正明最大的貢獻是，將半導體的2D結構，研發(fā)優(yōu)化出了3D結構，也就是FinFET。
從 1960年到 2010年左右，基本的平面(2D) MOSFET結構一直保持不變，直到進(jìn)一步增加晶體管密度和降低器件功耗變得不可能。
胡正明在加州大學(xué)伯克利分校的實(shí)驗室早在1995年就看到了這一點(diǎn)。
FinFET作為第一個(gè) 3D MOSFET，將扁平而寬的晶體管結構變?yōu)楦叨木w管結構。好處是在更小的占地面積內獲得更好的性能，就像在擁擠的城市中多層建筑相對于單層建筑的優(yōu)勢一樣。
FinFET也就是所謂的薄體（thin-body）MOSFET，這一概念繼續指導新設備的開(kāi)發(fā)。
它源于這樣一種認識，即電流不會(huì )通過(guò)硅表面幾納米內的晶體管泄漏，因為那里的表面電勢受到柵極電壓的良好控制。
FinFET牢記這種薄體概念。該器件的主體是垂直的硅鰭片，被氧化物絕緣體和柵極金屬覆蓋，在強柵極控制范圍之外沒(méi)有留下任何硅。FinFET將漏電流降低了幾個(gè)數量級，并降低了晶體管工作電壓。它還指出了進(jìn)一步改進(jìn)的路徑：進(jìn)一步降低厚度。
而電流不會(huì )通過(guò)硅表面幾納米內的晶體管泄漏，因為那里的表面電勢受到柵極電壓的良好控制，這一概念，正是MOSFET進(jìn)行互連建模在實(shí)驗室進(jìn)行復現后發(fā)現的。
周新不可能告訴胡正明，這是你自己發(fā)現的。
不過(guò)由于周新對于胡正明最重要的論文，都做過(guò)精讀，對于當時(shí)是如何思考，有自己的分析。
這些分析和二十年后的老胡交流過(guò)程中，也獲得了對方的認可。